

| 故障現象 | 核心原因分析 | 排查與解決技巧 |
|---|---|---|
| 1. 本底真空度抽不到指定值? | 系統存在泄漏點或放氣量大。? | 1. 聽聲辨位:仔細傾聽真空泵的聲音是否異常(如尖銳嘯叫可能是漏氣聲)。 2. 分段排查:依次關閉各氣路上的閥門,判斷是主真空管路、分子泵還是某一支路漏氣。 3. 檢漏:使用氦質譜檢漏儀,用氦氣噴槍重點檢查法蘭、觀察窗、針閥、規管接口等薄弱環節。 4. 烘烤:如果是新安裝的腔室或長期未用,可能存在水汽吸附,需執行烘烤程序。 |
| 2. 濺射時真空度持續上升? | 反應濺射中靶材中毒或腔壁/基片放氣。? | 1. 觀察輝光:中毒時,靶面輝光顏色會改變(如Si靶濺射SiO?時,輝光由紫變白),且電壓異常升高。 2. 檢查氣路:確認反應氣體(O?, N?)的流量是否過大或控制失靈。 3. 清潔腔壁:腔壁沉積物過多會吸附大量反應氣體,需清潔腔室。 4. 優化工藝:適當提高濺射功率或降低反應氣體分壓,有時可緩解中毒。 |
| 3. 薄膜厚度不均勻? | 等離子體分布不均或基片臺運動異常。? | 1. 檢查靶材:靶材表面不平整或有深坑會導致濺射不均勻。 2. 檢查磁場:磁棒錯位或消磁會導致跑道型輝光變形、偏移。 3. 檢查基片臺:基片臺旋轉是否平穩?公轉/自轉速度是否設置合理?夾具是否遮擋了部分區域? 4. 調整布局:對于大面積基片,可采用行星式夾具或增加擋板來改善邊緣效應。 |
| 4. 靶材表面出現打火/電弧? | 靶面有絕緣沉積物或雜質。? | 1. 立即降壓:發生電弧時,控制系統應自動降低功率或短暫切斷功率。若未自動處理,應立即手動停止。 2. 分析原因:高功率下,絕緣的沉積物(如氧化物)被濺射出的離子充電,當電壓積累到一定程度便會擊穿放電。 3. 預防措施:采用中頻或脈沖電源代替直流電源,可以有效中和靶面電荷,極大抑制電弧。 4. 清潔靶面:輕微打火后,可短時間用低功率氬氣濺射“清洗”靶面。嚴重打火會在靶面留下凹坑,需拋光或更換靶材。 |
| 5. 基片溫度過高? | 冷卻不足或等離子體轟擊過強。? | 1. 檢查冷卻:確認基片臺水冷系統是否正常工作,水路是否通暢。 2. 降低功率:過高的濺射功率會產生大量熱量。 3. 使用偏壓:如果不需要基片偏壓進行清洗,應將其設為0。 4. 增加間距:增大靶基距可以減少等離子體對基片的直接轟擊。 |